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J-GLOBAL ID：201002289022867337   整理番号：10A0710421

MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発

Metal thin film formation technology using supercritical fluid for MEMS application

著者 (5件)： 百瀬健 (東大) ,  上嶋健嗣 (東大) ,  山田英雄 (BEANS 研) ,  杉山正和 (東大) ,  霜垣幸浩 (東大)
資料名： 電気学会マイクロマシン・センサシステム研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MSS-10  号： 1-6.8-16.18-30  ページ： 1-4  発行年： 2010年06月17日 
JST資料番号： L2898B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MEMSデバイスにおいては,高アスペクト比を持つ複雑な3次元構造表面への薄膜形成技術が求められる。超臨界流体を用いた超臨界流体製膜法(SCFD)は,その高い回り込み性のため,特に金属薄膜堆積技術として優れた特性を備えている。本論文では,絶縁膜材料上へのメタルSCFDについて報告した。このとき,絶縁材料の表面に触媒機能を有するバッファ層を形成しておくと,金属製膜が容易となる。実験では,CuとMnO_xの複合構造から構成されるCuMnO_x膜を採用した。また,超臨界流体としてCO₂を,還元剤にH₂を用いた。CuMnO_xの回り込み性を評価した。実験の結果,触媒作用に優れたCuMnO_xバッファ層を得ることができた。

シソーラス用語： *MEMS ,  *超臨界流体 ,  二酸化炭素 ,  *金属薄膜 ,  *薄膜成長 ,  絶縁膜 ,  製膜 ,  バッファ層
準シソーラス用語： 触媒作用

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• J. M. Blackburn, D. R Long, A. Cabanas, and J. J. Watkins: “Deposition of Conformal Copper and Nickel Films from Supercritical Carbon Dioxide”, Science 294(2001)141.
• E. Kondoh and H. Kato: “Characteristics of copper deposition in a supercritical CO₂ fluid”, Microelectronic Eng.64(2002)495.
• T. Momose, M. Sugiyama, and Y. Shimogaki: “In situ observation of initial nucleation and growth processes in supercritical fluid deposition of copper”, Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)885.
• T. Momose, M. Sugiyama, and Y. Shimogaki: “Precursor Evaluation for Cu-Supercritical Fluid Deposition Based on Adhesion Properties and Surface Morphology”, Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L1199.
• B. Zhao, T. Momose, T. Ohkubo, and Y. Shimogaki: “Deposition of Cu-Ag alloy film by supercritical fluid deposition”, Jpn. J. Appl. Phys.45(2006) L1296.

タイトルに関連する用語 (5件)： MEMS ,  応用 ,  超臨界流体 ,  薄膜形成技術 ,  開発