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J-GLOBAL ID：201002289935643786   整理番号：10A0252957

窒化けい素ゲートスペーサーエッチングのためのSiO₂膜上のSi₃N₄膜の超高選択エッチング

Ultrahigh selective etching of Si₃N₄ films over SiO₂ films for silicon nitride gate spacer etching

著者 (4件)： LEE Sunghoon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea and Res. ...) ,  OH Jinho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, KOR) ,  LEE Kyumin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, KOR) ,  SOHN Hyunchul (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 28  号： 1  ページ： 131  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CF₄/CH₄誘導結合プラズマにおいて酸化けい素への窒化けい素の高エッチング選択性に対する過程窓を調べた。本研究は,CH₄気体の流速によりふっ化炭素の厚さを変調することによりエッチング選択性を制御できることを示した。エッチされた膜上のふっ化炭素副生成物層中の炭素含有量が,酸化けい素への窒化けい素のエッチング選択性を決定するに当たって重大な役割を果たすことを観測した。CH₄気体の増大に伴うふっ化炭素膜中の炭素含有量の増大は,酸化けい素および窒化けい素膜のエッチ速度を低減させ,最終的にエッチ停止導いた。エッチ停止に対してふっ化炭素膜の最小有効厚さを20Åと評価した。10SCCM(SCCMはSTPでの1分当たりの立方センチメートルを指す)のCF₄の場合に30SCCMより上のCH₄の流速に対してブランケットウェーファー上の酸化けい素への窒化けい素の無限のエッチング選択性を達成することができた。NF₃/CH₄そしてSF₆/CH₄プラズマに類似のエッチ挙動を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  誘導結合プラズマ ,  流速 ,  膜厚 ,  二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  アルカン ,  フロン
準シソーラス用語： *選択性エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： メタン ,  四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化けい素 ,  SiO2 ,  Si3N4 ,  選択エッチング