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J-GLOBAL ID：201002290133016695   整理番号：10A0213061

極端に短いp-チャネルトランジスタにおけるドレイン側からソース側へと到達するハロー注入とその逆のハロー注入の観察

Observation of halo implant from the drain side reaching the source side and vice versa in extremely short p-channel transistors

著者 (8件)： LAU W.s. (Nanyang Technological Univ., School of Electrical and Electronic Engineering, Div. of Microelectronics, Block S2.1 ...) ,  YANG Peizhen (Nanyang Technological Univ., School of Electrical and Electronic Engineering, Div. of Microelectronics, Block S2.1 ...) ,  LIM Eng Hua (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP) ,  TANG Yee Ling (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP) ,  LAI Seow Wei (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP) ,  LO V.l. (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP) ,  SIAH S.y. (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP) ,  CHAN L. (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, SGP)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 50  号： 3  ページ： 346-350  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドレイン側からとソース側からのハロー注入併合がしきい値電圧の大きさを最大にし,そして,金属-酸化物-半導体トランジスタのオフ電流を最小化する。本報告には,ルックアヘッドトランジスタテスト構造(ターゲットトランジスタのそれよりも小さなゲート長をもつトランジスタテスト構造)を用いて,ドレイン側からのハロー注入がソース側にクロスオーバし,またその逆も可能であることを立証する。このハロー注入のクロスオーバ現象はNMOSトランジスタの場合と比べてPMOSトランジスタにはより迅速に観察される。その理由は,同じマスクゲート長さの場合に,PMOSトランジスタの有効チャネル長さがNMOSトランジスタのそれよりも小さくなる傾向をもつためである。ハロー注入のクロスオーバの利点は,次に述べる説明で理解できる。すなわち,ケイ素内では正孔移動度は電子移動度よりも小さく,PMOSトランジスタがNMOSトランジスタよりも小さなオン電流(I_on)をもつ傾向となる。このオン電流はNMOSトランジスタと比べて小さなマスクゲート長をもつPMOSトランジスタを用いることによって増やせる。ただし,それでは製造過程でゲート電極の長さに生じる統計的なばらつきにPMOSトランジスタをきわめて敏感なものにしてしまう。上述の現象を積極的に利用することによって,PMOSトランジスタを製造プロセス制御の問題に追い込むことなしに短縮できて,より大きなI_on値につくれる。それでも,I_offが目立って増えることは避けられない。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  短チャネル効果 ,  *MOSFET ,  MOS構造 ,  NMOS構造 ,  テスト構造 ,  *素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  半導体プロセス ,  プロセスパラメータ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： PMOS構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： チャネル ,  トランジスタ ,  ドレイン ,  ソース ,  ハロー ,  注入 ,  観察