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J-GLOBAL ID：201002290173590130   整理番号：10A0858044

表面マイクロマシニングにおけるウエハレベルダイシング,分離と後処理

Wafer-level singulation, release and post-processing in surface micromachining

著者 (5件)： DE BOER M P (Sandia National Lab., NM, USA) ,  ANDERSON R C (Sandia National Lab., NM, USA) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., NM, USA) ,  CLEWS P J (Sandia National Lab., NM, USA) ,  BAKER M S (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 20  号： 7  ページ： 075007,1-8  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面マイクロマシニング法は,多くのデバイスの製作に利用されており,各種の製作方法が開発されている。多くは,デバイスダイシング(singulation)してから各種のプロセスを通過するため,煩雑で歩留り低下の原因となっている。本稿では,ウエハレベルダイシング,分離(release)と後処理法を用いたデバイス製作法について述べた。この方法によれば,単体チップ取り扱いが最後のパッケージングステップだけで簡単になり,12マイクロアレイデバイスのパッケージング後の歩留りが100%であった。信頼性も従来の方法によるものより良かった。

シソーラス用語： *マイクロマシニング ,  *ウエハ【IC】 ,  後処理 ,  歩留り ,  半導体チップ ,  *ICパッケージ ,  信頼性 ,  切削
準シソーラス用語： *ウエハレベルパッケージング ,  ダイシング ,  チップ【IC】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 表面マイクロマシニング ,  後処理