文献

J-GLOBAL ID：201002290279887337   整理番号：10A0554795

格子整合Fe/スピネルMgAl₂O₄/Fe(001)接合のトンネル磁気抵抗のバイアス電圧依存性改善

Tunnel magnetoresistance with improved bias voltage dependence in lattice-matched Fe/spinel MgAl₂O₄/Fe(001) junctions

著者 (10件)： SUKEGAWA Hiroaki (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  XIU Huixin (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  OHKUBO Tadakatsu (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  FURUBAYASHI Takao (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  NIIZEKI Tomohiko (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  WANG Wenhong (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  KASAI Shinya (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  MITANI Seiji (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  INOMATA Koichiro (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  HONO Kazuhiro (Magnetic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 21  ページ： 212505  発行年： 2010年05月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Mn/Al2層膜のプラズマ酸化を用いて,完全エピタキシャルFe/MgAl₂O₄/Fe(001)磁気トンネル接合を作製した。MgAl₂O₄は,(001)配向スピネル型構造を持ち,MgAl₂O₄と2つのFe層の間の界面には小さな格子不整合(-1%)によるわずかな不整合転位しかなかった。トンネル磁気抵抗(TMR)比は,室温(および15K)で最大117%(および165%)に達した。零バイアスTMR比の半値に対するバイアス電圧(V_half)は比較的大きく,室温で1.0~1.3Vであった,これは,不整合転位密度の小さなことに起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  鉄 ,  マグネシウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  酸化物 ,  スピネル型結晶 ,  ポテンシャル障壁 ,  磁性薄膜 ,  多層膜 ,  酸化 ,  *磁気抵抗効果 ,  温度 ,  転位密度 ,  格子不整合 ,  エピタクシー ,  界面 ,  *電圧 ,  依存性 ,  改良
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *トンネル磁気抵抗 ,  トンネル障壁 ,  *バイアス電圧 ,  プラズマ酸化 ,  *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 格子整合 ,  Fe ,  スピネル ,  MgAl2O4 ,  トンネル磁気抵抗 ,  バイアス ,  電圧依存性