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J-GLOBAL ID:201002292824359281   整理番号:10A0686601

僅かに還元されたNbドープTiO2-xセラミックターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリングにより堆積したNbドープTiO2膜の電気的及び光学的性質

Electrical and optical properties of Nb-doped TiO2 films deposited by dc magnetron sputtering using slightly reduced Nb-doped TiO2-x ceramic targets
著者 (6件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 851  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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NbドープアナターゼTiO2膜を各種水素あるいは酸素流量比で僅かに還元されたNbドープTiO2-xターゲット(Nb濃度:3.7及び9.5at.%)を用いたdcマグネトロンスパッタリングにより無加熱ガラス上に堆積した。500°C,1h,真空中でのポストアニーリング後,両膜は,多結晶アナターゼTiO2構造に結晶化した。抵抗率は2.8から8.0at.%へのNb濃度の増加に伴い1.6×10-3から6.3×10-4Ωcmまで低下し,キャリア密度は5.4×1020から2.0×1021へ増加し,Hall移動度は5~7cm2V-1s-1でほとんど一定であった。膜は,可視領域において60~80%の高い透明度を示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  光物性一般 

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