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J-GLOBAL ID：201002293080057806   整理番号：10A0863810

両極性銅酸化物におけるゼロドーピング状態と電子-正孔非対称性

Zero-doping state and electron-hole asymmetry in an ambipolar cuprate

著者 (9件)： SEGAWA Kouji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOFU M. (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  LEE S-H. (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  TSUKADA I. (Central Res. Inst. Electric Power Ind., Kanagawa, JPN) ,  HIRAKA H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJITA M. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHANG S. (National Inst. Standards and Technol., Maryland, USA) ,  YAMADA K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ANDO Yoichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 6  号： 8  ページ： 579-583  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Y_1-zLa_z(Ba_1-xLa_x)₂Cu₃O_yにおいて,組成を変化させることによって,電子ドーピングから正孔ドーピングまで変化させることができることを初めて報告した。この化合物を用いることによって,極めて低濃度のドーピング領域の物性を調べた。電子ドープ側と正孔ドープ側の間で,反強磁性基底状態が急に変化するのを見いだした。この変化は,わずか0.1ppmの電荷キャリアの存在によって起きる。さらに,Neel温度T_Nが,零ドーピング状態を中心にした狭い範囲で,意外な低下を示すのを観測した。この範囲を横切るとき,系は輸送測定において非対称な挙動を示す。この発見は,Mott絶縁体銅酸化物の希薄極限での電子と正孔のドーピングの性質が本質的に異なることを示している。

シソーラス用語： イットリウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  バリウム化合物 ,  *銅化合物 ,  酸化物 ,  *高温超伝導体 ,  反強磁性体 ,  誘電体 ,  ドーピング ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  Neel温度 ,  濃度依存性 ,  中性子散乱
準シソーラス用語： Mott絶縁体

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 両極性 ,  銅酸化物 ,  ドーピング ,  電子 ,  正孔 ,  非対称性