非晶質In-Ga-Zn-酸化物薄膜トランジスタを用いたドライバを集積した液晶ディスプレイパネルの開発

OSADA Takeshi; AKIMOTO Kengo; SATO Takehisa; IKEDA Masataka; TSUBUKU Masashi; SAKATA Junichiro; KOYAMA Jun; SERIKAWA Tadashi; YAMAZAKI Shunpei

文献

J-GLOBAL ID：201002293733835222 整理番号：10A0366311

非晶質In-Ga-Zn-酸化物薄膜トランジスタを用いたドライバを集積した液晶ディスプレイパネルの開発

Development of Liquid Crystal Display Panel Integrated with Drivers Using Amorphous In-Ga-Zn-Oxide Thin Film Transistors

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0366311&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0366311&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 3,Issue 2 ページ： 03CC02.1-03CC02.4 発行年： 2010年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

非晶質In-Ga-Zn-酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を用いたゲートドライバとソースドライバを集積した液晶パネルを設計し,プロトタイプを作製して評価した。底部ゲート底部接触(BGBC)TFTを用いて,優れた特性が得られた。BGBC TFTの典型的工程であるソース/ドレイン配線のエッチングによりゲート絶縁膜が薄くなっても,TFT特性は殆ど変化しなかった。また,In-Ga-Zn-酸化物層をソース/ドレイン電極上に形成しても,好ましいオン状態電流が得られた。In-Ga-Zn-酸化物層の上部はエッチされないので,BGBC構造は将来In-Ga-Zn-酸化物層を効果的に薄くできると期待される。評価した結果,特性を改善したTFTを用いたゲートドライバとソースドライバを集積したプロトタイプの液晶パネルは安定して駆動されることが分かった。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , ,
, , ,

表示機器

引用文献 (15件)：

K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432(2004)488.
H. Hosono: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 38(2007)1830.
K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006)4303.
D. P. Gosain and T. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys.48(2009)03B018.
B. Du Ahn, H. S. Shin, G. H. Kim, J.-S. Park, and H. J. Kim: Jpn. J. Appl. Phys.48(2009)03B019.

, , , , , , , ,

前のページに戻る