文献

J-GLOBAL ID：200902232676693050   整理番号：06A0473608

高性能フレキシブル薄膜トランジスタのための非晶質酸化物半導体

Amorphous Oxide Semiconductors for High-Performance Flexible Thin-Film Transistors

著者 (8件)： NOMURA Kenji (JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN) ,  TAKAGI Akihiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTA Hiromichi (JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN) ,  HIRANO Masahiro (JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo (JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 5B  ページ： 4303-4308  発行年： 2006年05月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,著者らは,フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のため...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (25件)：

• H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. Van Der Putten, K. E. Kuijk, C. M. Hart, E. Cantatore, P. T. Herwig, A. J. J. M. Van Breemen and D. M. De Leeuw: Nature 414(2001)599.
• Y. Chen, J. AU, P. Kazlas, A. Ritenour, H. Gates and M. McCreary: Nature 423(2003)136.
• C. S. McCormick, C. E. Weber, J. R. Abelson and S. M. Gates: Appl. Phys. Lett.70(1997)226.
• H. Gleskova, S. Wagner, V. Gasparik and P. Kovac: J. Electrochem. Soc.148(2001) G370.
• P. M. Smith, P. G. Carey and T. W. Sigmon: Appl. Phys. Lett.70(1997)342.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  酸化物半導体