文献

J-GLOBAL ID：201002294762828525   整理番号：10A0695634

255~280nmのAlGaN系発光ダイオードの効率改善

Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (13件)： PERNOT Cyril (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KIM Myunghee (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  FUKAHORI Shinya (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  INAZU Tetsuhiko (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJITA Takehiko (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NAGASAWA Yosuke (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  HIRANO Akira (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IPPOMMATSU Masamichi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 6  ページ： 061004.1-061004.3  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性領域のAl組成に依存して,255~280nmの波長を放出するAlGaN系発光ダイオード(LED)の作製と特性化を報告した。LEDはフリップチップ接着し,調べた全ての波長で外部量子効率>3%を示した。連続波動作下で,10mAにおいて>1mWの出力パワーを実証した。サファイア基板の背面に蛾の眼構造を作製し,ウエハ上の出力パワーの測定では光取出し効率が15倍に増強した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  フリップチップ法 ,  量子効率 ,  *効率 ,  基板
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  *光取出し効率 ,  サファイア基板

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (14件)：

• KHAN, M. A. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7191
• HIRAYAMA, H. J. Appl. Phys. 2005, 97, 091101
• TSUZUKI, H. J. Cryst. Growth. 2009, 311, 2860
• HU, X. Phys. Status Solidi A. 2006, 203, 1815
• FUJIOKA, A. Appl. Phys. Express. 2010, 3, 041001

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  発光ダイオード ,  効率改善