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J-GLOBAL ID：201002294805550151   整理番号：10A1451923

液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価

Stress Tensor Measurements using Raman Spectroscopy with a High-NA Oil-Immersion Lens

著者 (3件)： 小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (日本学術振興会) ,  小椋厚志 (明治大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 241(SDM2010 152-170)  ページ： 7-12  発行年： 2010年10月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ラマン分光法は,高い精度で応力が評価でき,比較的空間分解能も高く,非破壊の特徴を有する。このため,半導体デバイスの応力評価に多用されてきた。しかしながら,従来のラマン分光法における応力評価は,定性的な評価であると言わざるを得ない。つまり,測定で得られたSiのラマン波数シフトから応力に変換する際,なんらかの仮定が入っている。実際の複雑な応力場を評価してこそ,デバイス特性と比較し得る意味のある評価手法であると言える。そこで本研究では,従来のラマン分光法では不可能な,複雑な応力場の評価を達成することを目的とする。高NAの液浸ラマン分光法を用いて,Strained-Si on insulator(SSOI)のtransverse optical(TO)フォノンモード(禁制モード)を励起した。新たに励起したTOモードを利用して,SSOIのtransmission electron microscopy試料における,異方性2軸応力を評価した。さらに,応力緩和率を定量的に評価した。(著者抄録)

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  軸方向応力 ,  Ramanスペクトル ,  フォノン ,  評価 ,  応力 ,  精度 ,  *半導体素子 ,  計測システム ,  *浸漬 ,  絶縁材料 ,  透過型電子顕微鏡 ,  絶縁体
準シソーラス用語： SSOI ,  TEM【顕微鏡】 ,  TOフォノン ,  *液浸Raman分光法 ,  応力評価 ,  *半導体デバイス

分類 (2件)： 分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (20件)：

• OGURA, A. Taterials Science and Engineering B. 2009, 159-160, 206
• VAUDIN, M. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 193116
• OGURA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 3007
• HOLTZ, M. J. Appl. Phys. 2000, 88, 2523
• OGURA, A. Solid-State Electronics. 2008, 52, 1845

タイトルに関連する用語 (5件)： 液浸 ,  ラマン分光法 ,  異方性 ,  2軸応力 ,  評価