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J-GLOBAL ID：201002295605699432   整理番号：10A0777007

分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討

Molecular Orbital Analysis of Stability of Ge (100) Surface Terminated by Various Atoms

著者 (3件)： LEE DongHun (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 ナノサイエンスデザイン教育研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 90(SDM2010 33-48)  ページ： 33-37  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siより高い移動度を持つGeは高性能メモリデバイスになる次世代半導体材料として注目されている。しかし,Geは界面準位が多く,Siの様にHで表面を安定化することが困難になる問題がある。この問題を解決するために,Ge表面ダングリングボンドを終端化する研究が様々なところで行っている。そこで,我々はGe表面終端化について理論的な解析を行った。半経験分子軌道法によるMOPAC2009プログラムを用いて,Ge(100)表面と43種類の元素との反応性を考察することで,水素よりGe表面ダングリングボンドを終端しやすい新材料を探した。その計算結果,B,N,Co,H,Cl,Br,FはGe表面上約2Å付近で表面ダングリングボンドを終端させ,Ge(100)表面が安定な表面構造を保ちながら,エネルギー的にも安定になった。特に,F(フッ素)とB(ホウ素)は水素より表面との反応性が高くて,Ge表面安定化処理材料として,可能性が高いと考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *分子軌道法 ,  半経験的方法 ,  *ゲルマニウム ,  *表面処理 ,  フッ素添加 ,  *ダングリングボンド ,  成端 ,  表面準位 ,  *MISFET ,  *ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  酸化膜 ,  漏れ電流 ,  キャリア移動度 ,  表面反応
準シソーラス用語： フッ素処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• ELSHOCHT, S. V. Study of CVD high-k gate oxides on high-mobility Ge and Ge/Si substrates. Thin Solid Film. 2008, 508, 1-2
• RIVILLON, S. Hydrogen passivation of germanium (100) surface using wet chemical preparation. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253101
• GAO, F. Surface passivation using ultrathin AlNx film for Ge-metal-oxide-semiconductor devices with hafnium oxide gate dielectric. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 113501
• CATTONI, A. Effect of Ba termination layer on chemical and electrical passivation of Ge (100) surface. Materials Science in Semiconductor Processing. 2006, 9, 701-705
• MAEDA, T. Sulfur passivation of Ge (001) surfaces and its effects on Schottky barrier contact. Materials Science in Semiconductor Processing. 2006, 9, 706-710

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子軌道法 ,  Ge ,  終端 ,  元素