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J-GLOBAL ID：201002296626322068   整理番号：10A0904521

InSbメルトへのGaSbの溶解過程のX線侵入法によるその場観察

In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method

著者 (10件)： RAJESH G. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  ARIVANANDHAN M. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  MORII H. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  AOKI T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  KOYAMA T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  MOMOSE Y. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  TANAKA A. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  OZAWA T. (Dep. of Electrical Engineering, Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Fukuroi, Shizuoka 437-8555, JPN) ,  INATOMI Y. (Inst. of Space and Astronautical Sci., Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  HAYAKAWA Y. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 19  ページ： 2677-2682  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSbメルトへのGaSbの溶解過程をX線透過法により観測した。長方形のGaSb(シード)/GaSb(フィード)サンドイッチ試料に侵入したX線の強度をCdTeラインセンサ検出器により記録した。侵入X線強度及び試料のイメージを時間及び温度の関数として得た。GaSb及びInSb標準試料の透過X線強度により校正線を作成して試料のガリウム(Ga)組成プロフィルを時間の関数として計算した。成長させた試料のGa組成の計算で得たプロフィルはエネルギー分散X線分光分析により測定したデータとよく一致した。この結果は,下部のGaSbシードはその温度の低さにもかかわらず上部のGaSbフィードよりも速く溶解することを示唆した。それは,重力により誘起された溶質輸送が溶解過程に強く影響することを明白に示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *メルト ,  *アンチモン化ガリウム ,  *溶解 ,  *溶液成長 ,  アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  その場観察 ,  X線応用計測 ,  *X線画像 ,  深さプロフィル ,  薄膜成長
準シソーラス用語： アンチモン化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： InSb ,  メルト ,  GaSb ,  溶解 ,  過程 ,  X線 ,  侵入 ,  その場観察