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J-GLOBAL ID：201002297688026771   整理番号：10A1542933

電気化学検出応用のための不動態化カーボンナノチューブトランジスタのバッチウエハ規模の製作

Batch wafer scale fabrication of passivated carbon nanotube transistors for electrochemical sensing applications

著者 (5件)： MARTIN-FERNANDEZ I. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, E-08193 Cerdanyola del Valles, ESP) ,  BORRISE X. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC) and Inst. Catala de Nanotecnologia (ICN), Campus UAB ...) ,  LORA-TAMAYO E. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, E-08193 Cerdanyola del Valles, ESP) ,  GODIGNON P. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, E-08193 Cerdanyola del Valles, ESP) ,  PEREZ-MURANO F. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, E-08193 Cerdanyola del Valles, ESP)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6P1  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)電界効果トランジスタ(FET)に基づく電気化学センサをバッチウエハ規模で製作するための技術工程を示した。カーボンナノチューブ(CNT)-FETの製作は標準の微小電子工程と既定の触媒領域上のSWCNTの化学蒸着合成の組合せに基づく。パターン形成法には光リソグラフィーのみを用いた。20%に近い製造歩留りを達成し,これはウエハ当り数千のCNT-FETの供給を可能にする。CNT-FETを不動態化する追加の工程を導入して電気化学検出への応用が可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *電気化学センサ ,  化学蒸着 ,  フォトリソグラフィー ,  ウエハ【IC】 ,  不動態化 ,  歩留り
準シソーラス用語： 製造歩留り

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気化学検出 ,  応用 ,  不動態化 ,  カーボンナノチューブ ,  トランジスタ ,  バッチ ,  ウエハ ,  規模 ,  製作