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J-GLOBAL ID：201002299684305725   整理番号：10A1079516

インクジェット印刷のみを用いる調節可能なカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの製造

Tunable Carbon Nanotube Thin-Film Transistors Produced Exclusively via Inkjet Printing

著者 (10件)： OKIMOTO Haruya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YANAGI Kazuhiro (Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  YANAGI Kazuhiro (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAURA Hiromichi (Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  KATAURA Hiromichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 36  ページ： 3981-3986  発行年： 2010年09月22日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)薄膜のパターンをSWCNT/N,N-ジメチルホルムアミド系インクを用いるインクジェット印刷により形成する,低コストでグリーンな半導体素子の製造法を説明した。原子間力顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。通常の有機トランジスタに比べてキャリア移動度(1.6~4.2cm2/Vs),オンオフ比(4~5桁)とも高い性能を確かめた。N,N-ジエチル-N-メチル-N-(2-メトキシエチル)アンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(DEME-TFSI)イオン液体をゲート誘電体とする単層カーボンナノチューブトランジスタのインクジェット作製例を示した。

シソーラス用語： *インクジェット印刷 ,  パターン形成 ,  *薄膜トランジスタ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  薄膜 ,  半導体素子 ,  原子間力顕微鏡 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  イオン液体 ,  酸化膜 ,  脂肪族カルボン酸 ,  カルボアミド ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ゲート誘電体

分類 (5件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  印刷  (ZA05040A) ,  融解塩  (CB05050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： ジメチルホルムアミド ,  ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド ,  N,N-ジエチル-N-メチル-2-メトキシエタンアミニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： インクジェット印刷 ,  調節 ,  カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ