特許

J-GLOBAL ID：201003000161179384

エピタキシャル層付きIII族窒化物基板、及びそれを用いた半導体デバイス

発明者： 石橋 恵二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-101928
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166014
出願日： 2009年04月20日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】安定した表面を有する、3族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル層付きIII族窒化物基板10は、III族窒化物基板と、エピタキシャル層と、を備えている。III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における1cm3当たりのC原子の個数が2×1016個以上5×1017個以下であり、当該界面における1cm3当たりのp型金属元素の原子の個数が2×1016個以上1×1017個以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族窒化物基板と、 エピタキシャル層と、 を備え、 前記III族窒化物基板と前記エピタキシャル層との界面における1cm3当たりのC原子の個数が2×1016個以上5×1017個以下であり、該界面における1cm3当たりのp型金属元素の原子の個数が2×1016個以上1×1017個以下である、 エピタキシャル層付きIII族窒化物基板。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L21/302 104Z ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  H01L29/80 H

Fターム (27件)：

5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045BB04 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-171481   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-099392   出願人：古河電気工業株式会社