化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171481
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344911
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】表面において所望の電気的特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板10は、p型の化合物半導体からなる基板12と、基板12の表面12aに結合しておりp型の不純物原子を含む物質14とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しておりp型の不純物原子を含む物質と、を備える、化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L21/306 B

Fターム (13件)：

5F043AA03 , 5F043BB07 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152MM05 , 5F152MM18 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN08 , 5F152NN09 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

化合物半導体ウェハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003229 出願人：日立電線株式会社
特許第2657265号公報

審査官引用 (8件)

化合物半導体基板の前処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-130896 出願人：日本電気株式会社
単結晶半導体基板の表面処理方法、および単結晶半導体基板の電極層形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-148464 出願人：大同特殊鋼株式会社
III族窒化物発光デバイスの輝度を増大させる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-053867 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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