基板上に微細構造を作製する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-285250
公開番号（公開出願番号）：特開2010-144250
出願日： 2009年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】本発明は微細構造の作製方法に関する。【解決手段】先駆体流体が存在する中で基板全体にわたって集束粒子ビームを走査することによって、パターニングされたシード層が形成される。ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に微細構造を作製する方法であって、基板に表面を供する工程、前記基板表面上に所望の形状を有するパターニングされたシード層を形成する工程、及び、前記パターニングされたシード層の厚さを増大させる工程であって、前記基板表面に対して実質的に平行な表面を有する構造が形成されるように行われる、工程、を有し、前記のパターニングされた層を作製する工程が、先駆体流体又はエッチング流体が存在する中で、集束粒子ビームによって前記基板を照射する工程を有する、ことを特徴とする方法。

IPC (6件)：

C23C 16/04 , H01L 21/20 , C23C 16/455 , C23C 16/48 , H01J 37/305 , H01J 37/317

FI (6件)：

C23C16/04 , H01L21/20 , C23C16/455 , C23C16/48 , H01J37/305 A , H01J37/317 D

Fターム (21件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BB13 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA05 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA06 , 4K030FA12 , 5C034BB06 , 5C034BB09 , 5C034DD09 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LM08 , 5F152NQ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-107016
特開平2-217469
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-006292 出願人：富士通株式会社

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