特許
J-GLOBAL ID：200903084298103863

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
伊藤 竹志

伊藤 竹志 について

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稲垣 聡

稲垣 聡 について

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内野 康訓

内野 康訓 について

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川村 和郎

川村 和郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006292
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027680
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】タングステンプラグを使うコンタクト構造において、低抵抗で安定なコンタクトを実現する。【解決手段】導電体と、前記導電体を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成し、前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成し、前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成し、さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する。【選択図】図1D
請求項（抜粋）：
導電体と、 前記導電体を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法であって、 前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成する工程と、 前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成する工程と、 前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成する工程と、を含み、 さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (5件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/90 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/28 A
Fターム (50件)：
4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK30 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW10 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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