ポリシラザンおよびその合成方法、半導体素子製造用組成物およびその半導体素子製造用組成物を用いた半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-034674
公開番号（公開出願番号）：特開2010-111842
出願日： 2009年02月18日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】高分子量を有しながらも溝の充填力が優れたポリシラザンおよびその合成方法、ポリシラザンを含む半導体素子製造用組成物およびその半導体素子製造用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】ポリシラザンは、反応溶媒内に反応物として添加されたジクロロシラン、トリクロロシラン、およびアンモニアを触媒存在下で反応させることによって合成することができ、ポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜30000であり、下記化学式(1)で示される。【化1】【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜30000であり、下記化学式(1)で示されることを特徴とするポリシラザン。

IPC (5件)：

C08G 77/62 , H01L 21/316 , H01L 21/312 , H01L 21/76 , C08L 83/16

FI (5件)：

C08G77/62 , H01L21/316 G , H01L21/312 C , H01L21/76 L , C08L83/16

Fターム (38件)：

4J002CP211 , 4J002GQ05 , 4J002HA05 , 4J246AA10 , 4J246AA11 , 4J246AB11 , 4J246BB07X , 4J246BB070 , 4J246BB072 , 4J246BB08X , 4J246BB080 , 4J246BB082 , 4J246CA080 , 4J246CA170 , 4J246FA151 , 4J246FB231 , 4J246GA01 , 4J246HA63 , 4J246HA66 , 5F032AA11 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032DA10 , 5F032DA33 , 5F032DA52 , 5F032DA74 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-170533
シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281949 出願人：触媒化成工業株式会社
特開平3-170533

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