特許

J-GLOBAL ID：200903022693123800

スピンオンガラス組成物及びこれを用いたシリコン酸化膜形成方法

発明者： 趙 俊賢 ,  崔 晶植 ,  李 東峻 ,  李 禎浩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298169
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150702
出願日： 2004年10月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 スピンオンガラス組成物及びこれを用いたシリコン酸化膜形成方法が開示されている。【解決手段】 段差部を平坦化させる特性に優れると共に、ボイドがないスピンオンガラス組成物とこれを用いたシリコン酸化膜形成方法によると、上面上に形成された段差部を有する半導体基板上に、構造式が-(SiH2NH)n-(式のうち、nは正の整数)であり、重量平均分子量が3300〜3700であるポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を塗布して、平坦なスピンオンガラス膜を形成する。スピンオンガラス膜を硬化して平坦なシリコン酸化膜に転換させる【選択図】 図13

請求項（抜粋）：

構造式が-(SiH2NH)n-(式のうち、nは正の整数)であり、3000〜6000重量%である重量平均分子量を有し、組成物の全体重量に対する10〜30重量%のポリシラザンと、 70〜90重量%の溶媒と、を含むスピンオンガラス組成物。

IPC (6件)：

H01L21/316 ,  C03B8/02 ,  C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C08L83/16 ,  H01L21/768

FI (7件)：

H01L21/316 G ,  H01L21/316 H ,  C03B8/02 A ,  C03B20/00 K ,  C03C3/06 ,  C08L83/16 ,  H01L21/90 Q

Fターム (97件)：

4G014AH02 ,  4G014AH06 ,  4G062AA08 ,  4G062BB02 ,  4G062CC05 ,  4G062DA08 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DC02 ,  4G062DD01 ,  4G062DD02 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062GE02 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ04 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM05 ,  4G062MM35 ,  4G062NN40 ,  4J002CP211 ,  4J002EA056 ,  4J002ED026 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ05 ,  5F033HH04 ,  5F033HH09 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR12 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許第5,310,720号
  
• 米国特許第5,976,618号
  
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-308239   出願人：株式会社日立製作所
• 平坦化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163449   出願人：東京応化工業株式会社
• 半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-005050   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (2件)

• 平坦化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163449   出願人：東京応化工業株式会社
• 半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-005050   出願人：三星電子株式会社