特許
J-GLOBAL ID：201003003480094900

陰イオン交換体及びその製造方法

発明者：
▲趙▼ 龍

▲趙▼ 龍 について


出願人/特許権者：
株式会社NHVコーポレーション

株式会社NHVコーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-161938
公開番号（公開出願番号）：特開2010-001392
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】十分なイオン交換量を有し、吸着速度が速い陰イオン交換体を提供する。【解決手段】陰イオン交換体の製造方法は、少なくとも1つの水酸基を有する繰り返し構造単位を含む高分子基材に電離放射線を照射する工程と、電離放射線を照射した上記高分子基材を、下記一般式(I)(又は、(式中、R3は炭素数1以上8以下のアルキレン基である)であり、Xはハロゲン原子である)で表される構造を有するモノマーと接触させることにより、上記高分子基材に4級アンモニウム基を有するグラフト鎖を導入する工程と、を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの水酸基を有する繰り返し構造単位を含む高分子基材に電離放射線を照射する工程と、 電離放射線を照射した上記高分子基材を、下記一般式(I)
IPC (6件)：
C08F 251/00 ,  C08F 261/04 ,  B01J 41/04 ,  B01J 41/16 ,  B01J 41/12 ,  B01J 41/14
FI (6件)：
C08F251/00 ,  C08F261/04 ,  B01J41/04 G ,  B01J41/16 Z ,  B01J41/12 A ,  B01J41/14 A
Fターム (14件)：
4J026AA02 ,  4J026AA04 ,  4J026AA12 ,  4J026AC04 ,  4J026BA08 ,  4J026BA39 ,  4J026BB09 ,  4J026CA09 ,  4J026DB02 ,  4J026DB08 ,  4J026DB32 ,  4J026DB36 ,  4J026FA08 ,  4J026GA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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