特許
J-GLOBAL ID：201003003686668113

水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法

発明者：
ブッターバウ,ジェフリー ダブリュ.

ブッターバウ,ジェフリー ダブリュ. について

, 
デクレイカー,デイビッド

デクレイカー,デイビッド について

, 
ウィリアムソン,リチャード イー.

ウィリアムソン,リチャード イー. について


出願人/特許権者：
エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド

エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  河野上 正晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-508417
公開番号（公開出願番号）：特表2010-528459
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
一態様において、その表面上に材料を有する基板を処理チャンバー内に配置すること;液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること;及び水蒸気の流れを基板の表面及び/または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む基板の処理方法。本発明の好ましい態様は、基板から、材料、好ましくはフォトレジストを除去することであり、処理組成物は、硫酸及び/またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物である。他の態様において、硫酸及び/またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物は、基板の表面の一部分を処理するために効果的な量で、基板の全表面よりも小さい基板の表面の一部分上に投与され、そして水蒸気に曝露する前の液状硫酸組成物の温度よりも高く、液状硫酸組成物の温度を上昇させるために効果的な量の水蒸気に、液状硫酸組成物が曝露される。基板は、処理工程の間、水蒸気及び/または所望により窒素ガス環境に囲まれることもできる。
請求項（抜粋）：
a)処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること; b)液状処理組成物の流れを該基板の表面に衝突させるように向けること;及び c)水蒸気の流れを該基板の表面に衝突させるように及び/または該液状処理組成物に衝突させるように向けること、 を含む、基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/42
FI (2件)：
H01L21/30 572B ,  G03F7/42
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM