基板上の残留有機物除去方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：佐野静夫 , 山田茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265986
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085231
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】作業時には安全に作業が行え、その処理が容易で、環境問題を起こさず、安価で効率的な残留有機物の処理方法【解決手段】大気圧付近の圧力下又は準常圧下で、少なくともN2ガス、O2ガス、H2ガス、水蒸気、クリーンエアーのいずれか一種により構成される混合ガスをプラズマ処理し、加熱した基板に前記Oラジカル、Hラジカル、OHラジカル又は前記Nラジカルを接触させレジスト表面に形成された変質層を除去する変質層除去工程と、オゾン水と過熱水蒸気とを混合してなるオゾン溶液又はオゾン水のみをレジストを含む有機物上に滴下し変質層下のレジスト未変質層を除去する未変質層除去工程とを設けた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レジスト表面に形成された変質層と該変質層下で変質していないレジスト未変質層などの有機物が表面に残留している基板の残留有機物除去方法において、大気圧付近の圧力下又は準常圧下で、少なくともN2ガス、O2ガス、H2ガス、水蒸気、クリーンエアーのいずれか一種により構成される単体ガス又は混合ガスをプラズマ処理し、該プラズマ処理で生成したNラジカル、Oラジカル、Hラジカル、OHラジカルのいずれかを加熱した基板表面に接触させ前記変質層を除去する変質層除去工程と、オゾン水と過熱水蒸気とを混合してなるオゾン溶液又はオゾン水のみを前記レジスト未変質層に滴下し該レジスト未変質層を除去する未変質層除去工程とを備えることを特徴とする残留有機物除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/30 572A , H01L21/304 645C , H01L21/304 647Z , H01L21/30 572B

Fターム (4件)：

5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F046MA12 , 5F046MA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジスト除去方法及びレジスト除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-231221 出願人：積水化学工業株式会社

審査官引用 (10件)

基板処理方法及び電気光学装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-155862 出願人：セイコーエプソン株式会社
レジスト除去方法及びレジスト除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-231222 出願人：積水化学工業株式会社
半導体素子の処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-369498 出願人：積水化学工業株式会社

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