特許
J-GLOBAL ID：201003004964847624
水素製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 冨田 和幸
, 寺嶋 勇太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-168971
公開番号（公開出願番号）：特開2010-006652
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法において、運転開始時に副生成物(脱水素反応の反応阻害物質)の生成を抑制することが可能な水素製造方法を提供する。【解決手段】触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法であって、前記触媒層に水素を供給する工程と、前記触媒層を第1の温度まで加熱する工程と、水素が供給され前記第1の温度まで加熱された触媒層に、芳香族炭化水素の水素化物を供給して該水素化物の脱水素反応を開始させる工程と、水素および芳香族炭化水素の水素化物が供給されている触媒層を、前記第1の温度より高い第2の温度まで加熱する工程とを含む、水素製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法であって、
前記触媒層に水素を供給する工程と、
前記触媒層を第1の温度まで加熱する工程と、
水素が供給され前記第1の温度まで加熱された触媒層に、芳香族炭化水素の水素化物を供給して該水素化物の脱水素反応を開始させる工程と、
前記水素および前記芳香族炭化水素の水素化物が供給されている触媒層を、前記第1の温度より高い第2の温度まで加熱する工程と、
を含む、水素製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4G140DA03
, 4G140DB03
, 4G140DB05
, 4G140DC03
, 4G140DC07
出願人引用 (2件)
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水素貯蔵・供給システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-307206
出願人：市川勝, ジャパンエナジー電子材料株式会社
-
水素の貯蔵輸送システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-095282
出願人：千代田化工建設株式会社
審査官引用 (5件)
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