特許
J-GLOBAL ID：201003005402849108
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-075135
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103465
出願日： 2009年03月25日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し,基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得る。【解決手段】基板処理装置は,処理対象である基板を主面に保持する第1の電極と,第1の電極に対向する第2の電極と,第1の電極に対して周波数が40MHz以上のRF電圧を印加するRF電源と,RF電圧に重畳して,時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第1の電極へ印加するパルス電圧印加部と,を具備する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
チャンバと,
前記チャンバ内に配置され,処理対象である基板を主面に保持する第1の電極と,
前記第1の電極に対向して前記チャンバ内に配置された第2の電極と,
前記第1の電極に対して周波数が40MHz以上のRF電圧を印加するRF電源と,
前記RF電圧に重畳して,時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を前記第1の電極へ印加するパルス電圧印加部と,
を具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA07
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004BB22
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CB05
, 5F004DB00
, 5F004DB07
