特許
J-GLOBAL ID：200903081879502026

基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
宇井 明生

宇井 明生 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-026867
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085288
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決方法】内部が真空に保持されたチャンバーと、このチャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたRF電極と、前記チャンバー内において、前記RF電極と対向するように配置された対向電極と、前記RF電極に対して所定周波数のRF電圧を印加するためのRF電圧印加手段と、前記RF電極に対して前記RF電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加手段とから、目的とする基板のプラズマ処理装置を構成する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
内部が真空に保持可能なチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたRF電極と、 前記チャンバー内において、前記RF電極と対向するように配置された対向電極と、 前記RF電極に対して所定周波数のRF電圧を印加するためのRF電圧印加手段と、 前記RF電極に対して前記RF電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加手段と、 を具えることを特徴とする、基板のプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (2件)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 M
Fターム (16件)：
5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA37
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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