特許
J-GLOBAL ID：200903036483060246

半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

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柳原 将貴

柳原 将貴 について

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金子 信男

金子 信男 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-392945
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158889
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 多層構造のバッファ領域を有する窒化物系化合物半導体素子の漏れ電流が大きくなる。【解決手段】 シリコン基板2の上に、AlNから成る第1の層L1とGaNから成る第2の層L2とAlGaNから成る第3の層L3とを繰り返して配置した構造のバッファ領域3を形成する。第3の層L3のAlの割合を零又は第2の層L2のAlの割合と第1の層L1のAlの割合との間の値にする。第3の層L3のAlの割合が低いと2次元電子ガスの発生が抑制される。バッファ領域3 の上にHEMT素子用の窒化物系化合物半導体領域4を形成する。バッファ領域3に2次元電子ガスが発生することが抑制されるので、バッファ領域3が高抵抗になり、HEMTの漏れ電流が抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン又はシリコン化合物から成る基板と、 前記基板の一方の主面上に配置されバッファ領域と、 前記バッファ領域の上に配置された少なくとも1つの窒化物系化合物半導体層を含んでいる主半導体領域と を備えた半導体素子形成用板状基体であって、 前記バッファ領域が、 Al(アルミニウム)を第1の割合で含む窒化物系化合物半導体から成り且つ前記基板の上に配置されている第1の層と、 Alを含まない又は前記第1の割合よりも小さい第2の割合で含む窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第1の層の上に配置されている第2の層と、 零又は前記第2の割合と前記第1の割合との間の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第2の層の上に配置されている第3の層と を有していることを特徴とする半導体素子形成用板状基体。
IPC (5件)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/80 B ,  H01L29/263
Fターム (26件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA07 ,  5F045EB13 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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