特許
J-GLOBAL ID:201003005917176971
カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-095096
公開番号(公開出願番号):特開2010-241661
出願日: 2009年04月09日
公開日(公表日): 2010年10月28日
要約:
【課題】化学気相成長法におけるカーボンナノチューブの生成限界長を増大させることができる技術を提供する。【解決手段】水素を選択的に透過する基板10を準備する。基板10の第1の面11に触媒薄膜20を形成し、反応容器である加熱炉100の炉管110において昇温するとともに、原料ガスを触媒薄膜20に向かって供給する。カーボンナノチューブ5の生成にともなって基板10の第1の面11において生成される水素を、原料ガスから分離して、第2の面12側へと透過させる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
化学気相成長法によって、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
(a)水素を選択的に透過する基板を準備し、前記基板の第1の面にカーボンナノチューブの生成反応を促進させるための触媒を担持させる工程と、
(b)前記第1の面に向かって、少なくとも炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、前記第1の面側において副生成物として生成された水素を選択的に前記第1の面とは反対側の第2の面側へと透過させて排出する工程と、
を備える、製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146DA03
, 4G146DA46
, 4G146DA47
, 4G146DA48
引用特許:
引用文献:
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