特許

J-GLOBAL ID：201003006056430517

成膜装置及び成膜方法

発明者： 黒川 昌毅 ,  木村 法史 ,  藤田 武彦 ,  古澤 純和 ,  小森 克彦 ,  長谷部 一秀
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-252329
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034580
出願日： 2009年11月02日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。【解決手段】 反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程(P4)と、次いで反応容器内に水素ガスを供給してシリコンゲルマニウム膜をアニールする工程(P5)と、その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を1回行うかまたは複数回繰り返す工程(P6)と、しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程(P7)と、を含む。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程と、 次いで反応容器内に水素ガスを供給して前記シリコンゲルマニウム膜をアニールする工程と、 その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を1回行うかまたは複数回繰り返す工程と、 しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/78

FI (8件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301 ,  H01L21/285 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (46件)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA09 ,  4K030BA30 ,  4K030BA48 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104GG09 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045HA16 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BG28 ,  5F140BG33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-268265   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (1件)

• 半導体薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-194002   出願人：沖電気工業株式会社