特許
J-GLOBAL ID:201003006761582989
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
酒井 宏明
, 宮田 英毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-018492
公開番号(公開出願番号):特開2010-177451
出願日: 2009年01月29日
公開日(公表日): 2010年08月12日
要約:
【課題】NMISFETにおいて、最も高移動度化可能である(111)面をチャネル面に持ち、同時に、<110>方向を電流方向に持つ半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その2面が(111)面で、残りの1面が(100)面であるGOI層6またはGe層8と、前記(100)面上に形成されたSi層7と、を備えたNMISFET領域3を備えたこと、を特徴とする半導体装置1。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その2面が(111)面で、残りの1面が(100)面である細線型Geと、
前記(100)面上に形成されたSi層またはSi1-xGex層(0<x<0.5)と、を備えたNMISFET領域を備えたこと、
を特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 29/786
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 27/08
, H01L 21/308
FI (8件):
H01L29/78 618C
, H01L27/08 321C
, H01L27/08 331E
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 613A
, H01L29/78 617K
, H01L29/78 620
, H01L21/308 B
Fターム (52件):
5F043AA18
, 5F043BB12
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F048AA08
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048BA01
, 5F048BA10
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB01
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB11
, 5F048BD01
, 5F048BD05
, 5F048BD06
, 5F048BD09
, 5F048DA23
, 5F110AA01
, 5F110BB04
, 5F110CC01
, 5F110CC10
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE31
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG06
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG30
, 5F110GG42
, 5F110HK08
, 5F110HK09
, 5F110HK11
, 5F110HK32
, 5F110HK34
, 5F110HK42
, 5F110QQ17
引用特許:
審査官引用 (3件)
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電界効果トランジスタおよびその製作方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2003-585183
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-038252
出願人:株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
-
相補型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-047593
出願人:株式会社東芝
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