特許
J-GLOBAL ID:201003006935808485

SnO2ガスセンサの製造方法と、貴金属ナノ粒子を担持したSnO2の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 塩入 明 ,  塩入 みか
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-194402
公開番号(公開出願番号):特開2010-032343
出願日: 2008年07月29日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
【構成】 SnO2の水性ゾルに、SnO2へ配位する少なくとも2個の配位子と、貴金属へ配位する少なくとも2個の配位子とを備えたキレート化合物を添加し、キレート化合物をSnO2に配位させる。有機化合物を配位した貴金属のナノ粒子を有機分散媒に分散させたゾルと、キレート化合物を配位させたSnO2の水性ゾルとを接触させ、貴金属のナノ粒子にキレート化合物を配位させることにより、ゾル中のSnO2粒子に貴金属のナノ粒子を担持させ、焼成してSnO2ガスセンサとする。【効果】 SnO2に貴金属のナノ粒子を効率的に担持させることができる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
SnO2の水性ゾルに、SnO2へ配位する少なくとも2個の配位子と、貴金属へ配位する少なくとも2個の配位子とを備えたキレート化合物を添加し、該キレート化合物をSnO2に配位させる表面修飾ステップと、 有機化合物を配位した貴金属のナノ粒子を有機分散媒に分散させたゾルと、キレート化合物を配位させたSnO2の水性ゾルとを接触させ、貴金属のナノ粒子にキレート化合物を配位させることにより、ゾル中のSnO2粒子に貴金属のナノ粒子を担持させる担持ステップと、 貴金属のナノ粒子を担持したSnO2粒子を焼成する焼成ステップ、とを実行するSnO2ガスセンサの製造方法。
IPC (2件):
G01N 27/12 ,  G01N 27/16
FI (3件):
G01N27/12 M ,  G01N27/12 C ,  G01N27/16 B
Fターム (29件):
2G046AA05 ,  2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BE03 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046FB02 ,  2G046FC06 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE34 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G060AA02 ,  2G060AB11 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060BA03 ,  2G060BB04 ,  2G060JA01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献:
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