特許
J-GLOBAL ID:200903088022970178

ガスセンサチップ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北村 修一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-100079
公開番号(公開出願番号):特開2005-315874
出願日: 2005年03月30日
公開日(公表日): 2005年11月10日
要約:
【課題】 ガス検知感度が良好なガスセンサチップ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の一方の面に電極12,13を設け、基板11の一方の面と電極12,13の表面とにセラミックスの被覆層14を形成したガスセンサチップであって、セラミックスの粒子径を8〜30nmとし、また、その製造方法として、基板11の一方の面に電極12,13を設ける工程と、基板11の一方の面及び電極12,13の表面に液相析出法によるセラミックスの被覆層14を形成する工程とを含むものとする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板の一方の面に電極を設け、前記基板の一方の面と前記電極の表面とにセラミックスの被覆層を形成したガスセンサチップであって、 前記セラミックスの粒子径が8〜30nmであるガスセンサチップ。
IPC (1件):
G01N27/12
FI (2件):
G01N27/12 C ,  G01N27/12 M
Fターム (21件):
2G046AA02 ,  2G046AA11 ,  2G046AA13 ,  2G046AA18 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC04 ,  2G046BC08 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB02 ,  2G046FC01 ,  2G046FE15 ,  2G046FE39 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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