特許
J-GLOBAL ID：201003008445274787
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-287010
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114322
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】飽和電荷量(Qs)を増加し、暗電流の抑制を図った固体撮像装置とその製造方法を提供する。また、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】基板20の深さ方向に形成されたフォトダイオードPDに対して、縦型の読み出しゲート電極26を形成する。また、この読み出しゲート電極26の周囲には、セルフアラインで形成された第1導電型の半導体領域からなる暗電流抑制領域29が均一の幅で形成される。これにより、暗電流の抑制が図られ、また、飽和電荷量が増加する。また、読み出しゲート電極26部分の形成を、セルフアラインで行うことができるので、画素サイズが縮小した場合でも、精度よく、読み出しゲート電極26や、暗電流抑制領域29等を形成できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の深さ方向に積層された複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの信号電荷を読み出す為に前記基板の深さ方向に埋め込まれて形成された縦型の読み出しゲート電極と、
前記読み出しゲート電極の底部及び側面を被覆して形成され、前記読み出しゲート電極側面には均一幅で形成された第1導電型の半導体領域からなる暗電流抑制領域と
前記第1導電型の半導体領域と、前記フォトダイオードとの間に、第2導電型の半導体領域で形成された読み出しチャネル領域と、
を含んで構成された固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 R
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA04
, 4M118CA23
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5C024CX32
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GY31
