特許
J-GLOBAL ID：201003009026277675

IGBT用シリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法

発明者：
簗場 三千雄

簗場 三千雄 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-040351
公開番号（公開出願番号）：特開2010-222241
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、IGBT製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 1.5rpm以下、結晶回転数7.0rpm以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が6×1017atoms/cm3以下の単結晶を育成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、 磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数1.5rpm以下、結晶回転数7.0rpm以下とし、 シリコン単結晶の引き上げ速度を転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が6×1017atoms/cm3以下の単結晶を育成することを特徴とするIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/00
FI (2件)：
C30B29/06 502H ,  C30B15/00 Z
Fターム (26件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EG02 ,  4G077EH08 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ02 ,  4G077FD01 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ06 ,  4G077GA02 ,  4G077GA05 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PA06 ,  4G077PB05 ,  4G077PD01 ,  4G077PF15 ,  4G077PF17 ,  4G077PF42 ,  4G077RA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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