特許
J-GLOBAL ID：200903013486621389

IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法

発明者：
小野 敏昭

小野 敏昭 について

, 
梅野 繁

梅野 繁 について

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杉村 渉

杉村 渉 について

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宝来 正隆

宝来 正隆 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-034536
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254274
出願日： 2007年02月15日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びIGBT用シリコン単結晶ウェーハを提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるIGBT用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてCOP欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が8.5×1017atoms/cm3以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが5%以下であることを特徴とするIGBT用のシリコン単結晶ウェーハを採用する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるIGBT用のシリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてCOP欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が8.5×1017atoms/cm3以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが5%以下であることを特徴とするIGBT用のシリコン単結晶ウェーハ。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/04
FI (3件)：
C30B29/06 A ,  C30B29/06 502H ,  C30B15/04
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077FD01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PA06
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 単結晶引上方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326136   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
  • 単結晶の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146668   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
  • シリコン半導体基板とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-214915   出願人：ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
審査官引用 (4件)
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