特許
J-GLOBAL ID:201003009132736220
原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて製造された有機電子デバイス用の保護被膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
下田 昭
, 赤尾 謙一郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-513481
公開番号(公開出願番号):特表2010-532917
出願日: 2008年06月22日
公開日(公表日): 2010年10月14日
要約:
原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて柔軟性基板上に被覆された被膜。この被膜の厚さは100nm以下である。この被膜は、アルミナのような無機材料の層を含み、柔軟性を付与する層により分離され、この柔軟性を付与する層は、無機材料層に共有化学結合で結合するように堆積され、原子層堆積法で堆積されたシリカ、分子層堆積法で堆積された有機ポリマー、又は分子層堆積法で堆積された複合有機-無機ポリマー、のうちの1又はそれ以上である。 【選択図】 なし
請求項(抜粋):
被膜を有する被覆された柔軟性基板であって、
この被膜が
a)それぞれの厚さが5〜100nmであり、原子層堆積法で製造された、シリカ以外の無機材料の少なくとも2層、及び
b)この無機材料の隣接する一対の層の間に挟まれた、柔軟性を付与する1又は複数の層であって、この隣接する一対の無機材料の層のうちの厚いほうの層の厚さの10〜150%の厚さを持つ層、を含み、
この柔軟性を付与する層が、
b-1)原子層堆積法で堆積されたシリカ、
b-2)分子層堆積法で堆積された有機ポリマー、又は
b-3)分子層堆積法で堆積された複合有機-無機ポリマー、
又はb-1、b-2及びb-3のうちの2又はそれ以上の層である基板。
IPC (10件):
H01L 21/316
, C23C 16/42
, C23C 16/40
, C23C 16/30
, H01L 21/312
, B32B 9/00
, H01L 51/05
, H01L 29/786
, H05B 33/04
, H01L 51/50
FI (12件):
H01L21/316 M
, C23C16/42
, C23C16/40
, C23C16/30
, H01L21/312 N
, H01L21/316 X
, B32B9/00 A
, H01L29/28 100A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 626C
, H05B33/04
, H05B33/14 A
Fターム (53件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC23
, 3K107CC45
, 3K107DD17
, 3K107EE48
, 3K107EE49
, 3K107EE50
, 3K107FF15
, 3K107GG02
, 4F100AA00A
, 4F100AA00D
, 4F100AA19A
, 4F100AA20B
, 4F100AK01C
, 4F100AK01D
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100GB41
, 4F100JK04
, 4F100JK17
, 4F100YY00A
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA43
, 4K030BA44
, 4K030BA61
, 4K030BB12
, 5F058AA04
, 5F058AB06
, 5F058AC10
, 5F058AD02
, 5F058AD10
, 5F058AF01
, 5F058AH03
, 5F058BA07
, 5F058BB06
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD19
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BJ03
, 5F110AA30
, 5F110DD01
, 5F110DD06
, 5F110DD12
, 5F110DD17
, 5F110DD24
引用特許:
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