特許
J-GLOBAL ID：201003009441377170
高効率の縦列太陽電池用の低抵抗トンネル接合
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北村 修一郎
, 山▲崎▼ 徹也
, 東 邦彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-503044
公開番号（公開出願番号）：特表2010-534922
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
半導体構造は、第1材料からなる第1光電池と、第2材料からなり、第1光電池に直列接続した第2光電池とを備える。第2材料に隣接する第1材料の伝導帯エッジは、その材料に隣接する第2材料の価電子帯エッジより大きくても0.1eVだけ高い。好ましくは、第1光電池の前記第1材料はIn1-xAlxNまたはIn1-yGayNからなり、前記第2光電池の前記第2材料はシリコンまたはゲルマニウムからなる。あるいは、第1光電池の第1材料はInAsまたはInAsSbからなり、第2光電池の第2材料はGaSbまたはGaAsSbからなる。
請求項（抜粋）：
第1材料からなる第1光電池と、
第2材料からなり、前記第1光電池に直列接続した第2光電池と、を備え、
前記第2材料に隣接する前記第1材料の伝導帯エッジは、前記材料に隣接する前記第2材料の価電子帯エッジより大きくても0.1eVだけ高い、半導体構造。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 Y
, H01L31/04 E
5F051AA01
, 5F051AA08
, 5F051DA03
, 5F051DA19
