特許

J-GLOBAL ID：201003009571250016

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 平井 桂 ,  小渕 礼子 ,  本田 誠
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271622
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103203
出願日： 2008年10月22日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】半導体のプロセス耐性が向上し、且つ、生産効率が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供し、且つ、該製造方法により製造された半導体特性の安定した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/316 B ,  H01L21/312 A

Fターム (58件)：

5F058AA04 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03 ,  5F058BA07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE34 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325364   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325365   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258276   出願人：キヤノン株式会社