特許

J-GLOBAL ID：201003009621044579

ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-289806
公開番号（公開出願番号）：特開2010-115832
出願日： 2008年11月12日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

【課題】半導体装置の製造プロセス等のパターン形成に用いられるブロックコポリマーのアニーリングによる自己組織化のスループットを向上できる方法を提供する。【解決手段】基板101の上に、第1の膜であるブロックコポリマー膜103を形成する。続いて、該ブロックコポリマー膜103を不活性ガス雰囲気、例えばネオン雰囲気、あるいは湿度が30%以上の加湿雰囲気でアニーリングすることで、ブロックコポリマーの自己組織化を促進させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に、ブロックコポリマーからなる第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜を不活性ガス雰囲気でアニーリングする工程とを備えていることを特徴とするブロックコポリマーの自己組織化促進方法。

IPC (4件)：

B29C 71/02 ,  H01L 21/027 ,  C08J 7/00 ,  B82B 3/00

FI (5件)：

B29C71/02 ,  H01L21/30 502D ,  C08J7/00 301 ,  C08J7/00 ,  B82B3/00

Fターム (23件)：

4F073AA29 ,  4F073AA32 ,  4F073BA06 ,  4F073BA19 ,  4F073BB09 ,  4F073CA65 ,  4F073EA04 ,  4F201AA13J ,  4F201AA18 ,  4F201AA19A ,  4F201AA20A ,  4F201AA21 ,  4F201AG01 ,  4F201AG03 ,  4F201AH33 ,  4F201AM30 ,  4F201BA07 ,  4F201BC01 ,  4F201BC12 ,  4F201BC21 ,  4F201BR08 ,  4F201BR17 ,  5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ナノ構造化されたパターン製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-210080   出願人：ロームアンドハースデンマークファイナンスエーエス

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法及びモールド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-211745   出願人：日本電信電話株式会社
• 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-218958   出願人：株式会社日立製作所