特許
J-GLOBAL ID：201003010436035553

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
塚本 朗

塚本 朗 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-066877
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219439
出願日： 2009年03月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】SOI基板を用いる固体撮像装置において、基板の抵抗率のばらつきを抑え、撮像した画像の画質劣化を防止できるようにする。【解決手段】エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層24を有する第1のウェハ20を形成し、シリコン単結晶層24の上に酸化シリコン層22を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層24の内部に欠陥層23を形成し、酸化シリコン層22と第2のウェハ17とを貼り合わせる。次に、それぞれシリコン単結晶層24を含む第2のウェハ17から第1のウェハ20を欠陥層23において剥離することにより、酸化シリコン層22と酸化シリコン層22の上に形成されたシリコン単結晶層24とを有するSOIウェハ16を形成する。その後、シリコン単結晶層24にフォトダイオード19を形成し、シリコン単結晶層24における酸化シリコン層22と反対側の面に配線27等を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
エピタキシャル法により、第1のウェハの主面上にシリコン単結晶層を形成する工程と、 前記シリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、 イオン注入法により、前記シリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、 前記第1のウェハにおける前記酸化シリコン層に第2のウェハを貼り合わせる工程と、 前記シリコン単結晶層を含む前記第2のウェハから前記シリコン単結晶層を含む前記第1のウェハを前記欠陥層において剥離することにより、前記第2のウェハの上に形成された前記酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された前記シリコン単結晶層とを有するSOIウェハを形成する工程と、 前記シリコン単結晶層にフォトダイオードを形成する工程と、 前記シリコン単結晶層における前記酸化シリコン層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 E ,  H01L27/12 B
Fターム (19件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC01 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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