熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大山浩明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226590
公開番号（公開出願番号）：特開2010-059490
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】複数のサセプタに載置された基板を一度に加熱する際に,各基板の面内温度の均一性を制御できる熱処理装置を提供する。【解決手段】複数のウエハWに対して所定の処理を施す反応管104と,ウエハWを載置する載置面をそれぞれ有し,導電性材料からなる複数のサセプタ112と,各サセプタ112を,その載置面に垂直な方向に間隔を空けて配列して反応管104内で支持する回転自在な石英ボート110と,処理室102の側壁に設けられ,各サセプタ112の載置面に平行な方向に交流磁場を形成して各サセプタ112を誘導加熱する一対の電磁石120,130からなる磁場形成部と,この磁場形成部によって形成される交流磁場を制御する制御部200とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の基板に対して所定の処理を施す処理室と, 前記基板を載置する載置面をそれぞれ有し,導電性材料からなる複数のサセプタと, 前記各サセプタを,その載置面に垂直な方向に間隔を空けて配列して前記処理室内で支持する回転自在なサセプタ支持部と, 前記処理室の側壁に設けられ,前記各サセプタの載置面に平行な方向に交流磁場を形成して前記各サセプタを誘導加熱する磁場形成部と, 前記磁場形成部によって形成される交流磁場を制御する制御部と, を備えることを特徴とする熱処理装置。

IPC (2件)：

C23C 16/46 , H01L 21/22

FI (2件)：

C23C16/46 , H01L21/22 511A

Fターム (13件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030KA23 , 4K030LA15

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭56-6428号公報
特開昭61-91920号公報
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-200505 出願人：三井造船株式会社

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