半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村井卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022290
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 RTPにより処理される複数枚のウェーハ均一性を高める。【解決手段】横型又は縦型ホットウォール型加熱炉1内にて複数枚のウェーハ8を熱処理領域5a前進させかつ急速に昇温し、また熱処理領域5aにて急速熱処理し、その後前記熱処理領域より後退させかつ急冷する半導体装置の製造方法において、熱処理領域に前進方向に向かって温度が低くなる温度分布が設定さする。横型ホットウォール型加熱炉内にて1枚又は複数枚のウェーハ8を高温の熱処理領域にて急速熱処理する半導体装置の製造方法において、第1の低温領域5bとは別の第2の低温領域5cを、熱処理領域5aが両低温領域の中間に位置するように設ける。

請求項（抜粋）：

横型又は縦型ホットウォール型加熱炉内にて複数枚のウェーハを熱処理領域に前進させかつ急速に昇温し、また前記熱処理領域にて急速熱処理し、その後前記熱処理領域より後退させかつ急冷する半導体装置の製造方法において、前記前進方向に向かって温度が低くなる温度分布が設定された前記熱処理領域にて前記複数枚のウェーハを熱処理することによって各ウェーハに加えられる熱量をほぼ一定にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/324 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/324 D , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 A , H01L 21/31 E

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-308047 出願人：株式会社エフティーエル
特開昭60-211913
特開昭63-002315

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