結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-077922
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232401
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。【解決手段】80〜240nmの膜厚を有するa-Ge膜2が基板1上に形成される(工程(b)参照)。そして、約10nmの膜厚を有するSiO2膜3がa-Ge膜2上に形成される(工程(c)参照)。その後、約90nmの膜厚を有するPt薄膜4がスパッタリングまたは蒸着によってSiO2膜3上に形成される(工程(d)参照)。そして、Pt薄膜4は、水素リモートプラズマによって処理される(工程(e)参照)。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体材料と異なる材料からなる異種基板上に非晶質半導体を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体上に絶縁膜を形成する第2の工程と、水素リモートプラズマに曝されると前記非晶質半導体の結晶化温度よりも温度が上昇する金属材料からなる金属薄膜を前記絶縁膜上に形成する第3の工程と、前記金属薄膜を室温で前記水素リモートプラズマによって処理する第4の工程とを備える結晶半導体の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/205 , C23C 14/58 , C30B 29/08 , C30B 30/00 , C30B 1/02

FI (9件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/205 , C23C14/58 Z , C30B29/08 , C30B30/00 , C30B1/02

Fターム (103件)：

4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077CA03 , 4G077ED04 , 4G077EF01 , 4G077EJ10 , 4G077HA06 , 4G077JA03 , 4G077JA06 , 4G077JB01 , 4G077JB02 , 4G077JB06 , 4G077RA09 , 4K029BA13 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC34 , 4K029GA02 , 5F045AA08 , 5F045AB05 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF02 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EK09 , 5F045HA11 , 5F045HA16 , 5F045HA22 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP49 , 5F083ER21 , 5F083GA01 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR25 , 5F083ZA21 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD39 , 5F101BF05 , 5F101BH11 , 5F101BH17 , 5F110AA17 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110PP01 , 5F110PP13 , 5F110PP31 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC03 , 5F152CD13 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE06 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE48 , 5F152CF13 , 5F152CF17 , 5F152CF18 , 5F152EE13 , 5F152EE15 , 5F152FF20

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