特許
J-GLOBAL ID：201003011686239398

半導体装置およびその製造方法

発明者：
鹿野 武敏

鹿野 武敏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180154
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021338
出願日： 2008年07月10日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】小型化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ13fは主面MSを有する。導電部11fは、主面MS上に設けられ、かつ導電性および展性を有する材質からなる。封止樹脂部15は主面MSと正対する表面SFを有する。電極12fuは、導電部11f上に設けられ、かつ導電部11fおよび表面SFの間で封止樹脂部15を貫通している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有する半導体チップと、 前記主面上に設けられ、かつ導電性および展性を有する材質からなる導電部と、 前記主面と正対する表面を有する封止樹脂部と、 前記導電部上に設けられ、かつ前記導電部および前記表面の間で前記封止樹脂部を貫通する電極とを備えた、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/56
FI (4件)：
H01L23/28 A ,  H01L23/28 E ,  H01L23/28 B ,  H01L21/56 T
Fターム (14件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109DB15 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F061DA15 ,  5F061FA02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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