特許
J-GLOBAL ID：201003014252580562
窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 正義
, 早川 利明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205620
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041000
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】高密度BMDを形成するために必要な高濃度の窒素を導入させた窒素ドープシリコンウェーハを簡便に製造することが可能な、窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハを提供する。【解決手段】本発明の窒素ドープシリコンウェーハの製造方法は、窒素をドープしていないシリコンウェーハの表面又は裏面のいずれか一方又はその双方をHF水溶液に接触させることにより接触面の表層部分のシリコンを水素で終端させる工程と、水素終端処理後のウェーハを窒素含有雰囲気中、1100〜1300°Cの温度で1〜100秒間保持して水素終端処理面の表層から20μmまでの深さに5×1014〜1×1016atoms/cm3の濃度で窒素を導入する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒素をドープしていないシリコンウェーハの表面又は裏面のいずれか一方又はその双方をHF水溶液に接触させることにより前記接触面の表層部分のシリコンを水素で終端させる工程と、
前記水素終端処理後のウェーハを窒素含有雰囲気中、1100〜1300°Cの温度で1〜100秒間保持して前記水素終端処理面の表層から20μmまでの深さに5×1014〜1×1016atoms/cm3の濃度で窒素を導入する工程と
を含むことを特徴とする窒素ドープシリコンウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/26
, C30B 29/06
, C30B 33/02
H01L21/322 Y
, H01L21/322 Z
, H01L21/26 F
, C30B29/06 B
, C30B33/02
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077FC07
, 4G077FE11
, 4G077FG06
, 4G077HA12
