特許
J-GLOBAL ID：201003014372085085

半導体装置とその製造方法

発明者：
金子 敦司

金子 敦司 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297030
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123798
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】本発明によれば、オン抵抗を低減させるとともにアヴァランシェ耐量を向上させることができる。【解決手段】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板内の一対のトレンチに、トレンチの上端よりも低い位置に埋め込まれるように埋込ゲート電極を形成し、一対のトレンチに挟まれた所定の領域に、ベース領域を形成し、ベース領域の上部にソース領域を形成するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板内の一対のトレンチに形成された埋込ゲート電極と、 前記一対のトレンチに挟まれた所定の領域に形成されたベース領域と、 前記ベース領域の上部に形成されたソース領域と、 を備える半導体装置の製造方法であって、 前記基板に前記一対のトレンチをストライプ状に形成し、前記トレンチを埋め込むようにポリシリコンを全面に形成する第一のステップと、 前記ポリシリコンの全面をエッチバックして、前記トレンチ内の前記ポリシリコンの上側を除去し、前記トレンチの側壁および前記所定の領域の上面に、露出部を形成するとともに、前記埋込ゲート電極を形成する第二のステップと、 前記基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第一の不純物を斜めに注入し、その後、前記第一の不純物が注入された前記所定の領域を加熱して、前記第一の不純物を下方に拡散させて、前記ベース領域を形成する第三のステップと、 前記回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第二の不純物を斜めに注入して、前記ベース領域の上部に前記ソース領域を形成する第四のステップと、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652B
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許公報第6916712号
  • 絶縁ゲート型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-296435   出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
審査官引用 (2件)

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