特許
J-GLOBAL ID：200903027463461369
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-296435
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112936
出願日： 2006年10月31日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】従来構造ではソース領域またはドレイン領域とバックゲート領域のpn接合により形成される寄生ダイオードにより、MOSFETのオフ時で逆バイアス電圧印加時に逆方向の電流経路が形成される。これを防ぐため、外付けでダイオードを設けており、部品点数の削減や小型化が進まない問題があった。またアバランシェ破壊耐量の向上も望まれていた。【解決手段】バックゲート領域にコンタクトする第1電極層と、ソース領域にコンタクトする第2電極層を個別に設ける。第1電極層と第2電極層は絶縁され、それぞれゲート電極の延在方向と異なる方向に延在する。第1電極層と第2電極層に個別に電位を印加でき、寄生ダイオードによる逆流を防止する制御が行える。またソース領域をはしご状とし、そのソース領域下に高濃度のバックゲート領域を設けることによりアバランシェ破壊耐量の向上に寄与できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板に一導電型半導体層を積層したドレイン領域と、
前記半導体層表面に設けた逆導電型のチャネル領域と、
前記半導体層表面において第1方向に延在するゲート電極と、
前記チャネル領域と前記ゲート電極の間に設けられた絶縁膜と、
前記チャネル領域表面に設けられ前記ゲート電極と隣り合う一導電型のソース領域と、
前記チャネル領域表面に設けられ、前記第1方向に延在する逆導電型のバックゲート領域と、
前記半導体層表面において第2方向に延在する第1電極層と、
前記第1電極層に隣り合い前記半導体層表面において第2方向に延在する第2電極層と、を具備し、
前記ソース領域は、前記ゲート電極に沿って前記第1方向に延在する第1ソース領域と、2つの該第1ソース領域を連結する第2ソース領域とを有し、
前記バックゲート領域は、前記チャネル領域表面に設けられた第1バックゲート領域と、前記チャネル領域内部に埋め込まれた第2バックゲート領域とを有し、
前記第1電極層は前記第1バックゲート領域上に延在し、
前記第2電極層は前記第2ソース領域上に延在することを特徴とする絶縁ゲート型半導
体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L29/78 657G
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 652M
