電界効果トランジスタおよびその製造方法

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出願人/特許権者： , , , , ,
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-003628
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161288
出願日： 2009年01月09日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。【解決手段】まず、LOCOS法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の一方の面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを接続するカーボンナノチューブからなるチャネルと、前記カーボンナノチューブを被覆する保護膜と、を有し、前記カーボンナノチューブが配置されている領域の前記絶縁膜の厚さは、前記ソース電極および前記ドレイン電極が配置されている領域の前記絶縁膜の厚さよりも薄い、電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , G01N 27/414 , H01L 29/41

FI (14件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617S , H01L29/78 619A , H01L29/78 616K , H01L29/78 625 , H01L29/78 626C , H01L21/28 301B , H01L29/06 601N , G01N27/30 301P , G01N27/30 301K , G01N27/30 301Y , G01N27/30 301W , G01N27/30 301V , H01L29/44 L

Fターム (70件)：

4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD09 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE20 , 4M104FF01 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F110AA14 , 5F110AA21 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD18 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG30 , 5F110GG47 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255328 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体装置及びそれを用いた電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-142153 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
インスリンの検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-266126 出願人：国立大学法人北海道大学, 森永製菓株式会社

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