特許
J-GLOBAL ID：201003017336143183

GaN結晶の成長方法

発明者：
上松 康二

上松 康二 について

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吉田 浩章

吉田 浩章 について

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森下 昌紀

森下 昌紀 について

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藤原 伸介

藤原 伸介 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-252791
公開番号（公開出願番号）：特開2010-042976
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いGaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶の成長方法は、一主面10mを有するGaxAlyIn1-x-yN種結晶10aを含む基板を準備する工程と、基板10の主面10mにGa融液3への窒素の溶解5がされた溶液7を接触させて、800°C以上1500°C以下の雰囲気温度および500気圧以上2000気圧未満の雰囲気圧力下で、主面10m上にGaN結晶20を成長させる工程と、を備える。また、基板10を準備する工程の後、GaN結晶20を成長させる工程の前に、基板10の主面10mをエッチングする工程を、さらに備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一主面を有するGaxAlyIn1-x-yN(0<x、0≦y、x+y≦1)種結晶を含む基板を準備する工程と、 前記基板の前記主面に、Ga融液に窒素を溶解させた溶液を接触させて、800°C以上1500°C以下の雰囲気温度および500気圧以上2000気圧未満の雰囲気圧力下で、前記主面上にGaN結晶を成長させる工程と、を備えるGaN結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/208 ,  C30B 9/10 ,  H01L 33/32
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/208 D ,  C30B9/10 ,  H01L33/00 C
Fターム (22件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077MB12 ,  4G077MB35 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F053AA03 ,  5F053AA22 ,  5F053DD00 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053RR13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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